MRAM(자기 저항 메모리 ) 기술 및 비지니스 2019
MRAM Technology and Business 2019

◇발행처: Yole Developpement    ◇발행일: 2019년 07월   ◇가격: €5,990[PDF] €6,490[Multi-users]    ◇페이지수: 쪽   

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MRAM은 eFlash를 넘어서는 수명을 약속합니다: 임베디드 MRAM 시장은 시작되고 있으며 2024년에는 $1.2B에 이를 것으로 예상됩니다.

보고서의 주요 특징

  • 제조 공정 및 관련 기술 / 경제적 챌린지와 함께 (STT-) MRAM 기술의 스펙트럼 개요
  • 3개의 독립형 및 3개의 임베디드(STT-) MRAM 애플리케이션에 대한 설명
  • 독립형 :
    • 저밀도 메모리 칩이 필요한 산업, 운송, 방위, 기타 애플리케이션
    • 가속기 및 SSD 캐싱을 포함한 엔터프라이즈 스토리지
    • NVDIMM과 같은 영구 메모리
  • 임베디드 :
    • eFlash 교체용 코드/데이터 저장 메모리
    • AI 에지 가속기와 같은 ASSP/ASIC용 작업 기억 또는 "저속" SRAM
    • CPU 및 모바일 프로세서의 라스트-레벨 캐시 메모리(eDRAM/SRAM 교체)
  • 독립형 및 임베디드 애플리케이션 시장 전망 2018-2024 ($US, Gb 및 equivalents of 12’’ wafer starts)
  • 최신 R&D 개발 및 SOTMRAM과 VC-MRAM과 같은 차세대 자기 메모리 개요
  • SOT-MRAM기반 L1-L2 캐싱, 2Gb 이상에서 고밀도 NOR 교체와 같은 XIP 메모리,  STT-MRAM 크로스포인트를
    통한 스토리지 클래스 메모리를 포함하여 장기적으로 잠재적인 응용 프로그램 개요 아키텍처
  • 주요 파트너쉽을 갖춘 임베디드 및 독립형 MRAM 공급망 매핑
  • 서로 다른 공급망 레벨에서 플레이어의 활동에 대한 생태계의 성숙도, 챌린지, 강점 분석 및 설명
  • 성장하는 중국 메모리 사업에서 최신 MRAM 개발 발표

보고서의 목적

  • 다양한 독립형 및 임베디드 기술에 대한 시장 통찰력과 동향을 통해 반도체 메모리 산업에 대한 개요 제공
  • 임베디드 및 독립형 MRAM 애플리케이션 분석(전체시장, 로드맵, 시장 드라이버, 챌린지, 플레이어의 목적 포함)
  • 기존 및 새롭게 부상하는 자기 메모리 기술을 설명(작동 원리, 제조 방법, 이점과 한계, 평균 판매 가격, 출시 시기 포함)
  • 각 주요 시장 플레이어에 대한 최근 활동과 현재 제품 개발 상태 설명
  • 기술 노드, 칩 밀도, 가격 변화와 함께 로드맵 제공
  • MRAM 에코시스템 및 경쟁 환경 분석 :
    • 전체 공급망 매핑
    • 최근 인수, 파트너십 및 자금
    • 최근 기업 뉴스

 

- 목 차-

소개 7

주목할만한 MRAM 뉴스 2017-2019  19

컨텍스트– 메모리 사업 개요 65

  • 독립형 메모리 – NAND, DRAM, NOR, (NV)SRAM
  • 임베디드 메모리 – eFlash, eDRAM, SRAM
  • 신흥 비 휘발성 메모리 – MRAM, PCM, RRAM 등

MRAM 애플리케이션 및 시장 동향 개요 107

시장 예측 및 재무 분석 114

독립형 MRAM 애플리케이션 및 시장 동향 개요 124

  • 산업, 운송, 기타 (NVSRAM)
  • 엔터프라이즈 스토리지 – SSD 캐싱 및 스토리지 가속기
  • 영구 메모리 (NVDIMM)

임베디드 MRAM 애플리케이션 및 시장 동향 148

  • 임베디드 스토리지 (eFlash) – MCUs 및 기타 ASICS/ASSP 칩의 코드/데이터 스토리지
  • 임베디드 메모리 (저속 SRAM) – ASICS/ASSP 칩의 저전력 메모리
  • 임베디드 캐시 메모리 (SRAM, eDRAM) – CPU 및 모바일 프로세서의 하이-레벨 캐싱용 패스트 메모리

장기 잠재적 애플리케이션 180

MRAM 공급망 및 플레이어 다이나믹 184

  • 공급망 분석
  • MRAM 플레이어 및 활동
  • 인수 합병, 파트너쉽, 자금

중국 MRAM 개발 223

기술 설명 및 동향 231

  • MRAM 기술
  • MRAM 제조
  • 차세대 자기 메모리 (SOT- 및 VC-MRAM)

요약 및 결론  264

 
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